Russian Microelectronics

Издатель: Pleiades Publishing, Ltd.

Ассоциированный русскоязычный журнал: Микроэлектроника

О журнале

Наукометрические показатели

Использование
  • 10504Скачивания полных текстов 2020
    Springer измеряет число скачиваний полных текстов с платформы SpringerLink в соответствии со стандартами COUNTER (Counting Online Usage of NeTworked Electronic Resources).
  • 38 Фактор использования 2019/2020
    Фактор использования – это величина, рассчитываемая в соответствии правилами, рекомендуемыми COUNTER. Это среднее значение (медиана) числа скачиваний в 2019/2020 гг. для всех статей, опубликованных онлайн в том же журнале в течение того же периода. Расчет фактора использования основан на данных, соответствующих стандартам COUNTER на платформе SpringerLink.

Влияние
  • 0.46Source Normalized Impact per Paper (SNIP) 2020
    Source Normalized Impact per Paper (SNIP) измеряет контекстную влиятельность журнала по цитированию, путем взвешивания цитирований в каждой предметной группе. Вклад каждого отдельного цитирования тем выше в каждой конкретной предметной категории, чем меньше вероятность (из соображений предметного содержания), что такое цитирование возникнет.
  • Q3Квартиль: Electrical and Electronic Engineering 2020
    Набор журналов из одной предметной категории ранжируются в соответствии с их SJR и делятся на 4 группы, называемые квартилями. Q1 (зеленый) объединяет журналы с наиболее высокими показателями, Q2 (желтый) – следующие за ними, Q3 (оранжевый orange) – третья группа по величине SJR, Q4 (красный) – журналы с наиболее низкими показателями.
  • 0.21 SCImago Journal Rank (SJR) 2020
    SCImago Journal Rank (SJR) – это мера научного влияния журнала, которая учитывает число цитирований, полученных журналом и рейтинг цитирующих журналов.
  • 17Индекс Хирша 2020
    Журнал имеет индекс Хирша, равный h, если он опубликовал h статей, каждая из которой была процитирована в других журналах как минимум h раз. Здесь расчеты индекса основаны на данных Scopus.

SCOPE

Russian Microelectronics  covers physical, technological, and some VLSI and ULSI circuit-technical aspects of microelectronics and nanoelectronics; it informs the reader of new trends in submicron optical, x-ray, electron, and ion-beam lithography technology; dry processing techniques, etching, doping; and deposition and planarization technology. Significant space is devoted to problems arising in the application of proton, electron, and ion beams, plasma, etc. Consideration is given to new equipment, including cluster tools and control in situ and submicron CMOS, bipolar, and BICMOS technologies. The journal publishes papers addressing problems of molecular beam epitaxy and related processes; heterojunction devices and integrated circuits; the technology and devices of nanoelectronics; and the fabrication of nanometer scale devices, including new device structures, quantum-effect devices, and superconducting devices. The reader will find papers containing news of the diagnostics of surfaces and microelectronic structures, the modeling of technological processes and devices in micro- and nanoelectronics, including nanotransistors, and solid state qubits.

Аудитория

The journal is intended for specialists at research institutes, universities, and other educational establishments; for graduate students; and, to a certain extent, for those working at industrial laboratories.

Индексирование и реферирование

CLOCKSS, CNKI, CNPIEC, Chemical Abstracts Service (CAS), Current Contents Collections / Electronics & Telecommunications Collection, Dimensions, EBSCO Academic Search, EBSCO Applied Science & Technology Source, EBSCO Computers & Applied Sciences Complete, EBSCO Discovery Service, EBSCO Engineering Source, EBSCO STM Source, EI Compendex, Google Scholar, INSPEC, Japanese Science and Technology Agency (JST), Naver, OCLC WorldCat Discovery Service, Portico, ProQuest-ExLibris Primo, ProQuest-ExLibris Summon, SCImago, SCOPUS, TD Net Discovery Service, UGC-CARE List (India), WTI Frankfurt eG

Адрес и контакты редакции

Микроэлектроника
117218 Москва, Нахимовский проспект, 36, корп. 1, ФТИАН.
Тел.: +7 (499) 129-5446
Факс: +7 (499) 129-3141
E-mail: ponomareval@mail.ru